11月17日有消息称,从当前的进展情况判断,华为大概率很快就会正式公布Mate 80系列新机,而这款新机传闻将配备麒麟9030处理器,这一点也是大众最为关注的信息。
现在有博主暗示,华为即将推出的麒麟9030处理器,性能表现极为出色,十分令人振奋。
现在问题就浮现出来了,麒麟9030会是什么样子呢?依据之前鲲鹏930披露的细节推测,它或许会采用5nm工艺。
此前已有博主透露,外界流传的国产N+3工艺(据称能达到125mtr)的消息可信度较高,原因是相关专利中H210G56的指标参数,经计算对应的布线密度恰好为125mtr。
博主称,要是这事真能成,那也就说明国产5nm工艺算是彻底稳住了。
有消息显示,中芯国际的N+3工艺在晶体管密度方面表现突出,每平方毫米可容纳125亿个晶体管,也就是125MTr/mm。该密度处于台积电N6工艺(113MTr/mm)和三星早期5nm工艺(127MTr/mm)之间,其工艺水平大致相当于台积电的5.5nm。
若以14纳米工艺作为参照基准(其晶体管密度约为每平方毫米3500万个),N+3代工艺的密度提升幅度已突破250%,这一成果充分彰显了中芯国际在FinFET架构领域的持续技术优化实力。
虽然N+3的命名方式很容易让人联想到“等效5nm”,但它在实际性能和功耗方面的表现,其实对应的是台积电的N7P(7nm增强版)以及N6工艺。
这意味着在晶体管数量相同的情况下,中芯国际N+3工艺的能效或许比台积电N5/N4工艺落后大约15%~20%,这主要是因为EUV光刻机短缺使得工艺复杂度不够。不过,对于长期依赖成熟制程的国产芯片来说,这样的进步已经足以突破多项技术瓶颈。
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