SK海力士与NVIDIA携手研发下一代AINAND，性能实现10倍飞跃！

12月11日消息，SK海力士宣布将与NVIDIA开展深度合作，携手开发下一代AI NAND解决方案，其目标是解决AI运算与存储之间长期存在的瓶颈问题。

这款具有突破性的产品计划于2026年底推出首批样品，它的性能与现有产品相比将提升近十倍。

SK海力士副社长Kim Cheon-seong在“2025人工智慧半导体未来技术会议（AISFC）”上表示，该公司目前正围绕数据中心与边缘计算的差异化需求，着力研发具有高附加值的AI内存产品。

在AI数据中心领域，SK海力士正打造一套名为“AIN Family”的产品线，此产品线包含三种各有侧重的NAND解决方案，分别围绕性能（AI-NP）、频宽（AI-NB）和容量（AI-ND）方向做了优化。

其中，AI-NP是专门针对大规模AI推论场景打造的核心解决方案，它旨在借助创新的NAND与控制器架构，最大程度消除AI运算和存储之间的数据传输瓶颈，进而显著提高处理速度与能源利用效率。

Kim Cheon-seong表示，SK海力士正在加快与NVIDIA合作开展AI-NP的概念验证工作，计划于2026年年底推出配备PCIe Gen 6接口的产品，该产品将支持2500万次IOPS。

目前数据中心高性能企业级SSD的IOPS最高约为300万次，也就是说，AI-NP首批样本的性能将达到现有产品的8到10倍。

SK海力士预计在2027年底前后，推进支持1亿次IOPS的第二代AI-NP产品实现量产，届时该产品的性能有望超过现有eSSD的30倍。

除了AI-NP，SK海力士也在对AI-NB产品进行优化，这一产品也就是高频宽闪存（HBF）。它的概念和HBM内存相近，不过HBM是借助堆叠DRAM来实现的，HBF却是通过堆叠NAND闪存来生产制造的。